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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.12
- 수록면
- 30 - 34 (5page)
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본 논문은 플래쉬 EEPROM 트랜지스터의 VLSI 실현을 위해 얇은 실리콘 산화막의 스트레스 유기 누설전류를 조사하였다. 인가전압의 온시간과 오프 시간으로 구성된 스트레스 전류와 전이전류는 얇은 실리콘 산화막에서 고전압 인가 유기 트랩의 분포로 측정하였다. 스트레스 전류와 전이전류는 실리콘 산화막에서 고스트레스 전압에 의해 발생된 트랩의 충전과 방전에 기인한다. 스트레스 전류, 전이전류, 그리고 스트레스 유기 누설전류의 산화막 두께 의존에 대한 채널전류는 각각 채널 폭과 길이가 10×1μm이고 산화막 두께가 41Å과 113.4Å사이에서 측정하였다. 스트레스 유기 누설전류는 데이터 유지에 영향을 미치며 스트레스 전류, 전이전류는 산화막 두께의 근본적인 한계를 평가하는데 사용된다.
목차
1. Introduction
2. Results and discussion
3. Conclusions
References
저자소개
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