이중밴드 저잡음 증폭기 설계를 위한 공통 소스 접지형 CMOS 쌍의 잡음해석

조민수; 김태성; 김병성

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자료유형: 학술저널

저자정보: 조민수 김태성 김병성

저널정보: 한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제15권 제2호

발행연도: 2004.2

수록면: 140 - 144 (5page)

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직렬 공진형 공통 소스 접지 트랜지스터 쌍은 선택형 이중 밴드 LNA에 가장 널리 사용되는 구조이다. 본 논문은 이러한 선택형 이중밴드 저잡음 증폭기를 동시에 서로 다른 주파수에서 구동하였을 때 나타나는 잡음지수의 악화 정도를 해석하고, 0.18 ㎛ CMOS 공정으로 구현한 LNA의 실험결과와 비교한다. 아울러, 잡음 해석을 통해 다른 밴드 LNA로부터 발생하는 트랜지스터의 채널 잡음과 전원 잡음의 기여도를 분석하고, 동시형 LNA로 사용하였을 때 잡음을 최소화하기 위한 정합구조를 제안한다.

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[학술지(정기간행물)] - T. K. K. Tsang / 2003.05 / Dual-band sub- 1 V CMOS LNA for 802.11a/b WLAN applications 1 : 217 ~ 220

[학술지(정기간행물)] - A. Catala Schmidt / jul.2001. / S. A universal dual band LNA implementation in SiGe technology for wireless applications 36 (7) : 1127 ~ 1131

[학술지(정기간행물)] - H. Hashemi / Jan.2002 / Concurrent Multi-band Low-Noise Amplifiers-Theory Design and Applications 50 (1) : 280 ~ 301

[학술지(정기간행물)] - D. K. Shaeffer / May1997 / A 1.5-V, 1.5-GHz CMOS low noise amplifier 32 : 745 ~ 759

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