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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.6
- 수록면
- 48 - 51 (4page)
이용수
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20 ㎓ 이하의 주파수 범위에서 저잡음 증폭기의 성능지수를 최대화하기 위해 65 ㎚ RF CMOS 기술을 이용하여 제작된 입력 트랜지스터의 바이어스 전압과 폭을 최적화 하였다. 만일 13 ㎓ 보다 동작 주파수가 높을 경우, 보다 높은 이득을 확보하기 위해 2단 증폭기의 적용이 필요하였다. 또한 5 ㎓ 보다 낮을 경우, 제한된 범위 내에서의 전력소모를 제어하기 위해, 입력 트랜지스터의 게이트와 소스사이의 추가적인 커패시터를 삽입하였다. 본 논문은 20 ㎓ 이하에서 동작하는 1단 LNA의 전반적인 성능을 검토하였고, 본 접근법은 다른 CMOS LNA 설계 기술에 적용가능하다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Design optimization of LNA
Ⅲ. Discussion
Ⅳ. Conclusions
참고문헌
저자소개
참고문헌 (5)
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1. [학술지(정기간행물)] - T. Kim / 2002 / A simple and analytical design approach for input power matched on-chip CMOS LNA / Journal of Semiconductor Technology and Sicece 2 (1) : 19 ~ 29
2. [학술지(정기간행물)] - I. Song / 2008 / Optimization of cascode configuration in CMOS low-noise amplifier / Microwave and Optical Technology Letters 50 : 646 ~ 649
3. [학술대회논문] - H. Jung / 2008 / Design optimization of a 10 GHz Low Noise Amplifier with gate drain capacitance consideration in 65 nm CMOS Technology / International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
4. [학술지(정기간행물)] - H. Shin / 2006 / Analytical Thermal Noise Model of Deep-submicron MOSFETs / Journal of Semiconductor Technology and Science (6) : 206 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. Jeon / 2007 / An analytical channel thermal noise model for deep sub-micron MOSFETs with short-channel effects / Solid-State Electronics 51 (7) : 1034 ~ 1038
2. [학술지(정기간행물)] - I. Song / 2008 / Optimization of cascode configuration in CMOS low-noise amplifier / Microwave and Optical Technology Letters 50 : 646 ~ 649
3. [학술대회논문] - H. Jung / 2008 / Design optimization of a 10 GHz Low Noise Amplifier with gate drain capacitance consideration in 65 nm CMOS Technology / International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
4. [학술지(정기간행물)] - H. Shin / 2006 / Analytical Thermal Noise Model of Deep-submicron MOSFETs / Journal of Semiconductor Technology and Science (6) : 206 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. Jeon / 2007 / An analytical channel thermal noise model for deep sub-micron MOSFETs with short-channel effects / Solid-State Electronics 51 (7) : 1034 ~ 1038
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