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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.4 No.3
- 발행연도
- 2004.9
- 수록면
- 141 - 148 (8page)
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We discuss and develop a compact MOSFET modeling scheme in order to obtain accurate descriptions of the drain current and its derivatives up to the 5th order. We have analyzed the physical effects which govern the behaviour of the 3rd
derivative in long and deep-submicron channel MOSFETs. Our modeling agrees well with experimental data and describes continuous transitions between operating regimes, thanks to the use of continuous functions, which do not introduce any artificial peaks.
derivative in long and deep-submicron channel MOSFETs. Our modeling agrees well with experimental data and describes continuous transitions between operating regimes, thanks to the use of continuous functions, which do not introduce any artificial peaks.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. MODEL
Ⅲ. RESULTS
Ⅳ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES
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