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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
39 - 46 (8page)

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본 연구에서는 광논리 및 광접속에 응용할 수 있는 GaAs/AlGaAs 구조의 완전 공핍 광 싸이리스터 (depleted optical thyristor, DOT) 에 1/4 파장 거울층 (quarter wavelength reflector stacks QWRS) 을 제작하여 특성을 측정 분석하였다. 바닥면에 위치한 QWRS 는 광 방출 효율뿐만 아니라 흡수 효율을 증가시킨다. 바닥면에 QWRS 를 넣은 것과 그렇지 않은 두가지의 DOT 를 제작하여 비선형 S-자 형의 전류 전압 특성, 광 방출 효율 및 흡수 효율을 측정, 분석하였다. 하부 거울층을 삽입한 DOT 와 기존의 DOT의 스위칭 연화는 각각 182 V 와 152 V 로 흡수효율에서 20 % 증가함을 보인다 뿐만 아니라, 하부 거울 층을 이용한 DOT 는 기존의 소자에 비하여 발광 효율 연에서 최고 46% 향상된 결과를 나타낸다. 스위칭 특성을 분석하기 위하여 순방향 전압에서 비선형 s-자형의 전류 전압 특성을, 역방향 전압에서 완전 공핍 전압을 모의실험을 통하여 알아보았다. 모의설염 방법으로 유한 차분 방법 (finite difference method FDM) 을 이용하여 최적화된 DOT 각 층의 두께와 도핑 농도를 구하였다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 완전 공핍 광 싸이리스터 (DOT)

Ⅲ. 모의실험 결과

Ⅳ. 실험

Ⅴ. 결론

참고문헌

저자소개

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