Si 기판 위에 형성된 InAs 양자점의 열처리에 의한 표면 상태의 변화

유충현

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자료유형: 학술저널

저자정보: 유충현

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제10호

발행연도: 2007.1

수록면: 864 - 868 (5page)

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Effect of high-temperature annealing on morphology of fully coherent self-assembled InAs quantum dots' grown on Si (100) substrates at 450 ℃ by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition(APMOCVD) was investigated by atomic force microscopy(AFM). When the dots were annealed at 500 - 600 ℃ for 15 sec - 60 min, there was no appreciable change in the dot density but the heights of the dots increased along with the reduction in the diameters. In segregation from the InAs quantum dots and/or from the 2-dimensional InAs wetting layer which was not transformed into quantum dots looked responsible for this change in the dot size. However the change rates remained almost same regardless of annealing time and temperature, which may indicate that the morphological change due to thermal annealing is done instantly when the dots are exposed to high temperature annealing.

#Quantum dot #InAs #MOCVD #AFM #In segregation #Annealing

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B. Wang / 1998 / Self-organized InAs quantum dots formation by As/P exchange reaction on (001) InP substrate / Appl. Phys. Lett. 72 (19) : 2433 ~

C. K. Chia / 2004 / Enhanced photoluminescence of InAs self-assembled quantum dots grown by molecular-beam epitaxy using a nucleation-augmented method / Appl. Phys. Lett. 85

G. E. Cirlin / 2000 / Heteroepitaxial growth of InAs on Si: the new type of quantum dots / Mater. Phys. Mech. 1 : 15 ~

H. Sakaki / 1982 / Multi- dimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current / Appl. Phys. Lett. 40 (11) : 939 ~

J. A. Gupta / 1998 / MOVPE growth of single monolayers of InAs in GaAs studied by time-resolved reflectance difference spectroscopy / J. Cryst. Growth 195 : 205 ~

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