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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
손창식 (신라대학교 광전자공학과) 최인훈 (고려대학교 재료공학과) 박용주 (한국과학기술연구원 나노소자연구센터)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제11호
발행연도
2003.1
수록면
708 - 710 (3page)

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One-dimensional array of InAs quantum dots (QDs) have been grown on V-grooved GaAs substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Atomic force microscope images show that InAs QDs are aligned in one-dimensional rows along the [011]oriented bottom of V-grooves and no QDs are formed on the sidewalls and the surface of mesa top. Capability to grow one-dimensional InAs QDs array would feasible for the single electron tunneling devices and other novel quantum-confined devices.

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