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자료유형
학술대회자료
저자정보
손창식 (신라대학교) 조신호 (신라대학교) 최인훈 (고려대학교)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회 학술발표대회 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
발행연도
2003.1
수록면
85 - 85 (1page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

V 홈 바닥에 형성된 일차원 InAs 양자점
손창식 ,  최인훈 ,  박용주 한국재료학회지 2003.01 학술저널
V 홈 바닥에 성장된 일차원 양자점
손창식 ,  조신호 ,  최인훈 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

초록· 키워드

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최근 양자구속 구조 중에서 Stranski-Krastanow 모드에 의해 형성된 양자점에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다 양자점은 단전자소자, 고밀도메모리, 발광소자와 같은 양자기능성 소자 제작을 위한 가장 유력한 후보로서 각광받고 있다. 그러나 평탄한 기판 위에서 양자점은 무질서한 형태로 성장되어 양자점의 정확한 위치 조절이 어렵다. 또한 양자점의 위치 조절을 위해서는 정밀한 리소그라피와 정밀한 성장조건이 요구된다. 본 연구에서는 최초로 저압 MOCVD를 사용하여 일차원 InAs 양자점을 GaAs 기판에 새겨진 V 홈 바닥을 따라 위치 조절하여 형성하였다.

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