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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국마린엔지니어링학회 Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET) 한국마린엔지니어링학회지 제29권 제3호
- 발행연도
- 2005.5
- 수록면
- 63 - 68 (6page)
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Li-doped ZnS layers were grown by molecular beam epitaxy. It was found that relatively low growth temperature is suitable for effective incorporation of Li acceptors. The layers grown under optimized conditions exhibited photoluminescence spectra dominated by neutral-acceptor-bound excitons. Such layers also showed electrically p-type behavior in capacitance-voltage characteristics. The net acceptor concentration is estimated to be approximately 3×10^(15) cm-³.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental procedures
3. Results and discussion
4. Conclusions
References
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[학술지(정기간행물)] - / pp.1999-20011992. / Room temperature blue light emitting p-n diodes from Zn 60
[학술지(정기간행물)] - / 1997. / Control of Composition and Growth Rate of ZnMgS Grown on GaP by Molecular Beam Epitaxy Using Excess Sulfur Beam Pressure 36 : 1283 ~ 1286
[학술지(정기간행물)] - / 2000. / High temperature growth of ZnS and ZnMgS by molecular beam epitaxy under high sulfur beam pressure 87 : 4249 ~ 4253
[학술지(정기간행물)] - / 1992. / Ultraviolet stimulated emission and optical gain spectra in CdxZn1 xS-ZnS strained-layer superlattices 61 : 2190 ~ 2192
[학술지(정기간행물)] - / 1999. / Photoluminescence study of ZnS/ZnMgS single quantum wells 74 : 3486 ~ 3488
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