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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.2 No.4
- 발행연도
- 1997.8
- 수록면
- 106 - 111 (6page)
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A new SOI NMOSFET with a 'LOCOS-like' shape self-aligned polysilicon gate formed on the recessed channel region has been fabricated by a mix-and-match technology. For the first time, a new scheme for implementing self-alignment in both source / drain and gate structure in recessed channel device fabrication was tried. Symmetric source / drain doping profile was obtained and highly symmetric electrical characteristics were observed. Drain current measured from 0.3 ㎛ SOI devices with V_T of 0.77 V and Tax = 7.6 nm is 360 ㎂/㎛ V_(GS)=3.5V and V_(DS)=2.5 V. Improved breakdown characteristics were obtained and the BV_(DSS) (the drain voltage for 1㎁/㎛ of I_D at V_(GS) = 0 V) of the device with L_(eff) = 0.3㎛ under the floating body condition was as high as 3.7 V. Problems for the new scheme are also addressed and more advanced device structure based on the proposed scheme is proposed to solve the problems.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Device Fabrication
Ⅲ. Device Characteristics
Ⅳ. Advanced Self-Aligned Recess Channel MOS Structure
Ⅴ. Conclusion
Acknowledgment
References
저자소개
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