Effects of step - graded AlxGa₁-xN interlayer on properties of GaN grown on Si (111) using ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

김민호; 도영구; 강현철; 노도영; 박성주

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 김민호 도영구 강현철 노도영 박성주

저널정보: 한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제21회 학술발표회초록집

발행연도: 2001.7

수록면: 77 - 78 (2page)

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