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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2001 춘계학술발표대회 논문집
발행연도
2001.5
수록면
193 - 198 (6page)

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TIt is reported that AI-back surface field (Al-BSF) reduces the recombination loss at rear interface between metal and Si substrate. The resulting increase of open-circuit voltage (Voc) and fill factor (FF) from Al-BSF leads to the dramatic improvement in the cell efficiency. For the purpose of mass production of solar cells, Al screen printing is applied to the formation of Al-BSF in stead of AI evaporation. In this study, the formation of Al-BSF by means of Al screen printing and rapid thermal processing (RTP) was investigated. Two kind of cells were manufactored by the buried contact solar cell (BCSC) process with difference in Al-BSF formation step. The cell performance with Al screen printing was compared to that with AI evaporation. There was no noticeable change in FF. Voc and short-circuit current density (Jsc) decreased by 12 ㎷ and 1.02 ㎷/㎠ respectively.

목차

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-563-018155172