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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제12권 제6호
발행연도
2002.12
수록면
201 - 205 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2002

Si₃N₄ 장벽층을 이용한 경사형 모서리 접합의 터널링 자기저항 특성
김영일 ,  황도근 ,  이상석 한국자기학회지 2002.12 학술저널
Si₃N₄ 장벽층을 이용한 경사형 모서리 접합의 터널링 자기저항특성
김영일 ,  윤문성 ,  이상석 외 3명 한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집 2002.04 학술대회자료

초록· 키워드

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경사형 모서리접합을 이용한 터널링 자기저항(tunneling magnetoresistance; TMR) 특성을 연구하였다. 박막 증착과 식각은 스퍼터링과 사이크로트론 전자공명 (electron cyclotron resonance; ECR) 장치를 각각 사용하였다. Si₃N₄ 장벽층을 이용한 접합의 다층구조는 NiO(60)/Co(10)/NiO(60)/Si₃N₄(2-6)/NiFe(10) (㎚)이었다. 상하부 반강자성체 NiO에 삽입된 wedged 형태의 고정층 Co와 장벽층 Si₃N₄위에 경사진 비대칭 구조에서 자유층 NiFe 간의 접합에서 일어나는 특이한 스핀의존 터널링 현상이 관찰되었다. 외부자장이 0 Oe일 때와 접합경계선에 수직방향으로 90 Oe일 때 측정한 접합소자의 전류-전압특성 곡선이 현저하게 구별되어 나타났다. TMR의 인가 전압의존성은 ±10 V일 때도 약 -10%을 유지하는 매우 안정된 자기저항 특성을 보여주었다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 실험결과 및 분석

Ⅳ. 결론

감사의 글

참고문헌

Abstract

참고문헌 (0)

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