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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 IE편 제43권 제1호
발행연도
2006.3
수록면
1 - 4 (4page)

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중합 박막 트랜지스터의 특성은 유기 반도체에 앞서 게이트유전체 표면의 화학적 변형에 의해 조절 가능하다. 화학적 처리는 자기조립 단분자막 형태의 유전물질과 함께 파생된 tantalum pentoxide(Ta₂O_5) 표면으로 구성된다. Octadecyl trichlorosilane(OTS), hexamethyldisilazane (HMDS), aminopropyltreithoxysilane(ATS) 자기조립 단분자막의 성장은 중합체로 결합된 poly-3-hexylthiophene (P3HT)의 분위기에서 0.01 ~ 0.06 cm2/V·s의 이동도로 진행되었다. 이동도 향상 메커니즘은 중합체와 자기조립 단분자막 사이의 분자 상호작용에 영향을 미치는 것으로 확인하였다. 이는 향후 ploymer TFT의 유전박막 중 하나로서 유용하게 사용 될 것이다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experimen

Ⅲ. Results and discussion

Ⅳ. Conclusion

References

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