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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1990.9
- 수록면
- 229 - 262 (34page)
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A new particle source identification technique with the integrated systems of a surface scanner and an electron microscope has been developed and applied in the semiconductor processor generated particles and atmospheric particles. Silicon wafer was used as a particle collection plate for element analysis. Since the wafer become a particle sampling plate particles can be sampled and analyzed from any semiconductor manufacturing processes. Based on the particle coordinate information obtained from a laser surface scanner, the same particles are located in an electron microscope and their elements are analyzed using an energy dispersive x-ray spectroscope. At the present experiment, as small as 0.2 ㎛ Feret's diameter particles have been detected and analyzed using the system. The relationship between optical scattering cross section area and Feret's diameter has been studied. The irregular particles sampled from equipments and semiconductor manufacturing processes showed the number mean diameter of about 0.9 ㎛ and the standard deviation of about 1.9. Particle detachment from a wall during de-pressurization process was also observed in a vacuum chamber. The atmospheric particles which composed of sulfur, oxygen, sodium, magnesium and chlorine were clearly showed circular area around the solid particles on the silicon wafer surface.
목차
ABSTRACT
INTRODUCTION
EXPERIMENTS
RESULTS AND DISCUSSIONS
REFERENCES
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