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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
강영재 (한양대학교 금속재료공학과) 이종명 ([주]아이엠티 레이저그룹) 이상호 (한양대학교 금속재료공학과) 박진구 (한양대학교 금속재료공학과) 김태훈 ([주]아이엠티 레이저그룹)
저널정보
한국레이저가공학회 한국레이저가공학회지 한국레이저가공학회지 제6권 제3호
발행연도
2003.1
수록면
29 - 35 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2003

오염 입자 상태에 따른 레이저 충격파 클리닝 특성 고찰
강영재 ,  이종명 ,  이상호 외 2명 한국레이저가공학회지 2003.01 학술저널
Laser 충격파 세정에서 플라즈마 생성 위치에 따른 오염 입자 제거 효과
강영재 ,  이상호 ,  박진구 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 2003.01 학술대회자료

2002

Laser 충격파를 이용한 실리콘웨이퍼 표면에서의 미세 오염입자 제거
강영재 ,  이상호 ,  박진구 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 2002.01 학술대회자료

초록· 키워드

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In semiconductor processing, there are two types of particle contaminated onto the wafer, i.e. dry and wet state particles. In order to evaluate the cleaning performance of laser shock wave cleaning method, the removal of 1 m sized alumina particle at different particle conditions from silicon wafer has been carried out by laser-induced shock waves. It was found that the removal efficiency by laser shock cleaning was strongly dependent on the particle condition, i.e. the removal efficiency of dry alumina particle from silicon wafer was around 97％ while the efficiencies of wet alumina particle in DI water and IPA are 35％ and 55％ respectively. From the analysis of adhesion forces between the particle and the silicon substrate, the adhesion force of the wet particle where capillary force is dominant is much larger than that of the dry particle where Van der Waals force is dominant. As a result, it is seen that the particle in wet condition is much more difficult to remove from silicon wafer than the particle in dry condition by using physical cleaning method such as laser shock cleaning.
#laser shock cleaning #particle condition #silicon wafer #alumina #adhesion force

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