메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.1
발행연도
2008.3
수록면
98 - 103 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
1T1C DRAM has been facing technological and physical constraints that make more difficult their further scaling. Thus there are much industrial interests for alternative technologies that exploit new devices and concepts to go beyond the 1T1C DRAM technology, to allow better scaling, and to enlarge the memory performance. The technologies of DRAM cell are changing from 1T1C cell type to capacitor-less 1T-gain cell type for more scalable cell size. But floating body cell (FBC) of 1T-gain DRAM has weak retention properties than 1T1C DRAM. FET-type 1T-FeRAM is not adequate for long term nonvolatile applications, but could be a good alternative for the short term retention applications of DRAM. The proposed nonvolatile refresh scheme is based on utilizing the short nonvolatile retention properties of 1T-FeRAM in both after power-off and power-on operation condition.
#1T1C DRAM #floating body cell(FBC) 1T DRAM #1T-gain DRAM #FET-type 1T-FeRAM #nonvolatile refresh scheme

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. NONVOLATILE REFRESH ADOPTED SCHEME OF 1T-FERAM
Ⅲ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (2)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - S. Okhonin / 2002 / / IEEE Electron Device Letters 23 (2) : 85 ~ 87 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - S. Sakai / 2004 / / IEDM : 915 ~ 918 google schola

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

New Capacitorless 1T DRAM Cells : Surrounding Gate and Double Gate MOSFET With Vertical Channel (SGVC and DGVC Cell)
이윤성 ,  정훈 ,  송재영 외 4명 대한전자공학회 학술대회 2006 .06
Study of Capacitorless 1T-DRAM on Strained-Silicon-On-Insulator (sSOI) Substrate Using Impact Ionization and Gate-Induced-Dran-Leakage (GIDL) Programming
정승민 ,  정홍배 ,  이영희 외 1명 한국진공학회 학술발표회초록집 2011 .08
SOI의 Interface trap이 1T-DRAM의 특성에 미치는 영향연구
정종완 ,  조원주 한국진공학회 학술발표회초록집 2008 .02
두 개의 게이트와 함몰 채널을 가지는 1T DRAM Cell
김상완 ,  김가람 ,  심원보 외 9명 대한전자공학회 학술대회 2010 .06
Ge농도에 따른 SGOI (Silicon-Germanium-On-Insulator) 1T-DRAM의 메모리 특성변화
오준석 ,  김민수 ,  조원주 대한전자공학회 학술대회 2009 .07

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-569-001438550