DRAM의 성능 향상을 위한 Pre-Refresh 기법

조민신; 한경호; 장우영

doi:10.14801/jkiit.2018.16.10.27

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자료유형: 학술저널

저자정보: 조민신 (단국대학교) 한경호 (단국대학교) 장우영 (단국대학교)

저널정보: 한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제16권 제10호(JKIIT, Vol.16, No.10)

발행연도: 2018.10

수록면: 27 - 35 (9page)

DOI: 10.14801/jkiit.2018.16.10.27

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DRAM(Dynamic Random Access Memory) 지연 시간은 감지 증폭기(Sense-Amplifier)가 DRAM 셀(Cell)의 전하를 탐지하는 행 활성화(Row Activation) 시간에 좌우된다. 만약 DRAM 셀이 전하들로 완전히 충전되어 있다면, 감지 증폭기는 그 전하들을 신속하게 탐지할 수 있어서, 행 활성화 시간을 줄일 수 있을 것이다. 본 논문에서는 그러한 DRAM의 행 활성화 시간을 줄이기 위한 사전 리프레시(Pre-Refresh) 기법을 제안한다. 사전 리프레시 기술은 DRAM이 유휴 상태일 때, 접근될 것으로 예상되는 행의 모든 DRAM 셀들을 충전시킨다. 만약, 그 행의 어떤 DRAM 셀들이 곧 읽혀지거나 기록된다면, DRAM의 행 활성화 시간을 줄일 수 있다. 실험 결과에서, 사전 리프레시가 적용된 메모리 컨트롤러는 쿼드-코어 프로세서가 네 개의 PARSEC 벤치마크를 동시에 수행하는 경우, 5.49% 전력 소비를 감소시키며, 11.8%의 프로그램 실행 시간을 향상시킨다.

#DRAM #refresh #pre-refresh

참고문헌 (17)

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[단행본] - Shen, John Paul / 2013 / Modern processor design: fundamentals of superscalar processors / Waveland Press

[학술지(정기간행물)] - 박태진 / 2017 / 병렬 TLC STT-MRAM 기반 대용량 LLC 설계 / 한국정보기술학회논문지 15 (12) : 77 ~ 89

[단행본] - Jacob, Bruce / 2010 / Memory systems: cache, DRAM, disk / Morgan Kaufmann

[인터넷자원] - / 0000 / JEDEC DDR3 standard

[학술대회논문] - Wongyu Shin / 2014 / NUAT: A non-uniform access time memory controller / High Performance Computer Architecture (HPCA), 2014 IEEE 20th International Symposium on. IEEE : 464 ~ 465

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