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저자정보
김경희 (Andong National University) 김경민 (Andong National University) 김영환 (Andong National University) 임종범 (Andong National University) 최규호 (Andong National University) 강인만 (Kyungpook National University) 윤영준 (Andong National University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제28권 제3호
발행연도
2024.9
수록면
369 - 374 (6page)

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본 논문에서는 차세대 메모리 기술로 주목받고 있는 커패시터리스 디램(one-transistor DRAM, 1T-DRAM)을 소자의 설계 최적화에 대해 다룬다. 기존 커패시터기반 DRAM의 한계를 해결하고자, 비대칭 듀얼 게이트 구조를 사용하여 보유 시간 및 성능을 향상시키는 방향성을 제시한다. ZTC(Zero-temperature coefficient) 지점을 1.25 V로 설정하여 온도 변화에 따른 성능 저하를 최소화하였다. 다양한 온도(300K~400K)에서 전류-전압 특성을 분석하여, ZTC 지점에서의 메모리 특성이 온도에 안정적으로 동작하는 것을 확인하였으며, 고온에서도 신뢰성 있는 동작을 보장하는 설계가 가능함을 입증하였다. 이를 통해 1T-DRAM 소자는 높은 신뢰성과 고효율을 갖춘 메모리 기술로서, 차세대 메모리 소자 개발에 중요한 기여를 할 수 있다.

목차

Abstract
요약
I. 서론
II. 본론
III. 결론
References

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