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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제39권 제2호
발행연도
2006.4
수록면
82 - 86 (5page)

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Diamond films were deposited on 10.0 × 10.0 mm² pretreated (100) Si substrate using CH₄, H₂ and O₂ source gases in a horizontal-type microwave plasma enhanced chemical vapor deposition system. We introduced a cyclic on/off modulation of CH₄ and/or O₂ flows as a function of the reaction time during the initial deposition stage. Surface morphology and diamond quality of the films were investigated as a function of the different cyclic modulation process of the source gases flows. For the enhancement of the nucleation density, there is an optimal process for the incorporation of oxygen. Diamond qualities of the films were improved by introducing oxygen gas during the initial deposition stage.
#Diamond #Nucleation density #Quality #The simultaneous cyclic on/off modulation of CH₄ and O₂ flow

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (6)

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[학술지(정기간행물)] - / 1995 / Diamond Relat. Mater. 4 google schola [학술지(정기간행물)] - / 1999 / Sci. and Eng r25 google schola [학술지(정기간행물)] - / 1998 / Diamond Relat. Mater 7 google schola [학술지(정기간행물)] - / 1997 / Thin Solid Films 303 google schola [학술지(정기간행물)] - / 1997 / J. Cryst. Growth 180 google schola

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