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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 81 - 87 (7page)
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Nano-diamond films were deposited on Si substrate using H2, CH4, and O2 source gases in a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition(MPECVD) system. We introduced a cyclic on/off modulation of CH4 and O2 flows as a function of the reaction time during a deposition stage. Surface morphology and nano-diamond quality of the films were investigated as a function of the different cyclic modulation process of the source gases flows. For the enhancement of the nucleation density, there is an optimal process for the incorporation of oxygen. Nano-diamond qualities of the films were enhanced by introducing oxygen during the deposition stage.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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