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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.2
발행연도
2008.6
수록면
164 - 169 (6page)

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The effects of the antisite related defects on the electronic structure of silica and the gate leakage current have been investigated using first-principles calculations. Energy levels related to the antisite defects in silicon dioxide have been introduced into the bandgap, which are nearly 2.0 eV from the top of the valence band. Combining with the electronic structures calculated from first-principles simulations, tunneling currents through the silica layer with antisite defects have been calculated. The tunneling current calculations show that the hole tunneling currents assisted by the antisite defects will be dominant at low oxide field whereas the electron direct tunneling current will be dominant at high oxide field. With increased thickness of the defect layer, the threshold point where the hole tunneling current assisted by antisite defects in silica is equal to the electron direct tunneling current extends to higher oxide field.
#Silicon oxide #metal-oxide-semiconductor structures #tunneling

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. METHOD
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. SUMMARY
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (28)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - C. J. Pickard / 2002 / / Phys. Rev. Lett 88 : 086403 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - W. L. Scopel / 2004 / / Appl. Phys. Lett 84 : 1492 ~ 1494 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S, Mukhopadhyay / 2005 / / Phys. Rev. B 71 : 235204 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Y. K. Kim / 2004 / / Phys. Rev. B 70 : 165320 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - G. Buscarino / 2005 / / Phys. Rev. Lett 94 : 125501 ~ google schola

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