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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
Hakkee Jung (Kunsan National University) Ohshin Kwon (Kunsan National University)
저널정보
한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.7 No.1
발행연도
2015.6
수록면
111 - 114 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2018

Analysis of Flat-Band-Voltage Dependent Breakdown Voltage for 10 ㎚ Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Sima Dimit ,  ijev Journal of information and communication convergence engineering 2018.03 학술저널

2017

Analysis of Flat Band Voltage Dependent Breakdown Voltage for Sub-10 nm DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017.06 학술대회자료

2015

Top and Bottom Gate Voltage Dependent Tunneling Current of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료
Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Bottom Gate Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Dongsoo Jeong INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료

2014

Analysis of Channel Dimension Dependent Threshold Voltage for Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung ,  Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료
Analysis of Oxide Thickness Dependent Threshold Voltage of Asymmetric DGMOSFET
Hakkee Jung INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료

초록· 키워드

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This paper analyzes the deviation of tunneling current for the change of top and bottom gate voltage of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The factors to be able to control the short channel effects are increased since the asymmetric DGMOSFET can be biased differently to top and bottom gate. The condition the ratio of tunneling current in the total off current reduced is obtained for top and bottom gate voltage. The analytical potential model of series form derived from Poisson’s equation and WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) approximation are used to calculate the total off current consisted of the thermionic and tunneling current. As a results, the ratio of tunneling current is significantly decreased with the increase of channel length and thickness in the region of sub-10 nm channel length and thickness. Especially it showed the influence of top and bottom gate voltage for the ratio of tunneling current is vice versa.
#asymmetric double gate MOSFET #tunneling current #Poisson equation #top and bottom gate voltage #WKB approximation

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. Potential distribution and tunneling current model
III. Results and discussion for tunneling current of ADGMOSFET
IV. DISCUSSION AND CONCLUSIONS
REFERENCES

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