Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Bottom Gate Voltage of Asymmetric DGMOSFET

Hakkee Jung; Dongsoo Jeong

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Hakkee Jung (Kunsan National University) Dongsoo Jeong (Kunsan National University)

저널정보: 한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.7 No.1

발행연도: 2015.6

수록면: 101 - 104 (4page)

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2018

Analysis of Flat-Band-Voltage Dependent Breakdown Voltage for 10 ㎚ Double Gate MOSFET

Hakkee Jung , Sima Dimit , ijev Journal of information and communication convergence engineering 2018.03 학술저널

2017

Analysis of Flat Band Voltage Dependent Breakdown Voltage for Sub-10 nm DGMOSFET

Hakkee Jung , Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017.06 학술대회자료

2015

Top and Bottom Gate Voltage Dependent Tunneling Current of Asymmetric DGMOSFET

Hakkee Jung , Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료

Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Bottom Gate Voltage of Asymmetric DGMOSFET

Hakkee Jung , Dongsoo Jeong INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료

2014

Analysis of Channel Dimension Dependent Threshold Voltage for Asymmetric DGMOSFET

Hakkee Jung , Ohshin Kwon INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료

Analysis of Oxide Thickness Dependent Threshold Voltage of Asymmetric DGMOSFET

Hakkee Jung INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료

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This paper analyzes the drain induced barrier lowering (DIBL) for the bottom gate voltage of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The possibility to be able to control DIBL by the bottom gate voltage is observed in this paper. The analytical potential model of series form derived from Poisson’s equation using Gaussian distribution is used to solve the off current. The DIBL is investigated for bottom gate voltage with parameters of channel length, and projected range and standard projected deviation. As a result, the DIBL is significantly increased with the decrease of channel length.

#asymmetric double gate #DIBL #Poisson equation #projected range #standard projected deviation

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정동수

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