지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2022.5
- 수록면
- 255 - 263 (9page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
The subthreshold swing (SS) of an asymmetric junctionless double gate (AJLDG) MOSFET is analyzed by the use of Gaussian function. In the asymmetric structure, the thickness of the top/bottom oxide film and the flat-band voltages of top gate (Vfbf) and bottom gate (Vfbb) could be made differently, so the change in the SS for these factors is analyzed with the projected range and standard projected deviation which are parameters for the Gaussian function. An analytical subthreshold swing model is presented from the Poisson’s equation, and it is shown that this model is in a good agreement with the numerical model. As a result, the SS changes linearly according to the geometric mean of the top and bottom oxide film thicknesses, and if the projected range is less than half of the silicon thickness, the SS decreases as the top gate oxide film is smaller. Conversely, if the projected range is bigger than a half of the silicon thickness, the SS decreases as the bottom gate oxide film is smaller. In addition, the SS decreases as Vfbb-Vfbf increases when the projected range is near the top gate, and the SS decreases as Vfbb-Vfbf decreases when the projected range is near the bottom gate. It is necessary that one should pay attention to the selection of the top/bottom oxide thickness and the gate metal in order to reduce the SS when designing an AJLDG MOSFET.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Analysis of Subthreshold Swing of Junctionless Cylindrical Surrounding Gate MOSFET Using Stacked High-k Gate Oxide
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2022 .04
-
대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 스케일 길이를 이용한 문턱전압 이하 스윙 모델
전기전자재료학회논문지
2021 .01
-
비대칭 이중게이트 MOSFET에서 상단과 하단 산화막 두께비가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2016 .03
-
Analysis of Tunneling Current for Gate Oxide Thickness of Sub-10 nm Asymmetric Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2015 .06
-
비대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 문턱전압이동 관계
전기전자학회논문지
2020 .03
-
Characteristics of Gate Structure in Junctionless Double Gate Field Effect Transistors
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
-
무접합 원통형 및 이중게이트 MOSFET에서 중심전위와 문턱전압이하 스윙 분석
전기전자학회논문지
2018 .03
-
Analysis of Electrical Characteristics Changes Due to Physical Parameter Variations in Dual-Gate Feedback Field Effect Transistor
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2025 .02
-
플랜트 사업의 리스크 관리를 위한 gate review 수행 방안
대한기계학회 춘추학술대회
2021 .11
-
소자 파라미터에 따른 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .01
-
이중게이트 구조의 Junctionless FET 의 성능 개선에 대한 연구
전기전자학회논문지
2015 .12
-
Analysis of Drain Induced Barrier Lowering for Bottom Gate Voltage of Asymmetric DGMOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2015 .06
-
Enhancement-mode β-Ga₂O₃ MOSFET with Ferroelectric α-In₂Se₃ Hetero-Gate Structure
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
-
Subthreshold Swing Including Tunneling of Sub-20 ㎚ Asymmetric Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2016 .06
-
Comparative Study of Single and Double Gate All Around Cylindrical FET Structures for High-K Dielectric Materials
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2021 .08
-
Linearity Analysis of MoTe 2 -FET based Single Transistor AND Gate Using Non-Equilibrium Green’s Function
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2022 .04
-
Effects of Hafnium Oxide on Short Channel Effects and DC Analysis for Double Gate Junctionless Transistors
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2022 .08
-
1,200V 급 Trench Gate Field stop IGBT 공정변수에 따른 스위칭 특성 연구
전기전자학회논문지
2021 .06
-
채널길이에 대한 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .02
-
MOSFET에서 다결정 실리콘 게이트 막의 도핑 농도가 신뢰성에 미치는 영향
전기전자재료학회논문지
2018 .02
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0