개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.2
- 수록면
- 401 - 406 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널길이에 대한 문턱전압이하 스윙의 변화에 대하여 분석하였다. 문턱전압이하 스윙은 트랜지스터의 디지털특성을 결정하는 중요한 요소로서 채널길이가 감소하면 특성이 저하되는 문제가 나타나고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 개발된 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙의 채널길이에 대한 변화를 채널두께, 산화막두께, 상하단 게이트 전압 및 도핑농도 등에 따라 조사하고자 한다. 특히 하단 게이트 구조를 상단과 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에 대하여 문턱전압이하 스윙을 분석함으로써 하단 게이트 전압 및 하단 산화막 두께 등에 대하여 자세히 관찰하였다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 구하기 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 결과적으로 문턱전압이하 스윙은 상하단 게이트 전압 및 채널도핑농도 그리고 채널의 크기에 매우 민감하게 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포 및 문턱전압이하 스윙 모델
Ⅲ. 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 결과 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
S. Dimitrijev / 2012 / Principles of Semiconductor Devices / Oxford University Press
J. P. Duarte / 2012 / A nonpiecewise model for long-channel junctionless cylindrical nanowire FETs / IEEE Electron Device Letters 33(2):155~157
R. Vaddi / 2011 / Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied independent gate and symmetric asymmetric options / Microelectronics J 42(5):798~807
N. Seoane / 2006 / Random Dopant, Line-Edge Roughness and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 61(2):466~472
J. B. Roldan / 2013 / In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs / Solidstate electronics 79(1):179~184
J. P. Duarte / 2012 / A nonpiecewise model for long-channel junctionless cylindrical nanowire FETs / IEEE Electron Device Letters 33(2):155~157
R. Vaddi / 2011 / Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied independent gate and symmetric asymmetric options / Microelectronics J 42(5):798~807
N. Seoane / 2006 / Random Dopant, Line-Edge Roughness and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 61(2):466~472
J. B. Roldan / 2013 / In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs / Solidstate electronics 79(1):179~184
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
비대칭 DGMOSFET의 채널길이와 두께 비에 따른 문턱전압이하 스윙 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .03
-
소자 파라미터에 따른 비대칭 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .01
-
비대칭 이중게이트 MOSFET에서 상단과 하단 산화막 두께비가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2016 .03
-
무접합 원통형 및 이중게이트 MOSFET에서 중심전위와 문턱전압이하 스윙 분석
전기전자학회논문지
2018 .03
-
도핑분포함수에 따른 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이동현상
한국정보통신학회논문지
2015 .04
-
비대칭 이중게이트 MOSFET의 차단전류에 대한 전도중심 의존성 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .03
-
비대칭 DGMOSFET에서 채널길이와 두께 비에 따른 DIBL 의존성 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .06
-
대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 스케일 길이를 이용한 문턱전압 이하 스윙 모델
전기전자재료학회논문지
2021 .01
-
무접합 원통형 게이트 MOSFET에서 문턱전압이동 분석을 위한 문턱전압이하 전류 모델
한국정보통신학회논문지
2017 .04
-
비대칭형 무접합 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 문턱전압이동 관계
전기전자학회논문지
2020 .03
-
양성 피드백을 이용한 낮은 문턱 전압 이하 스윙을 갖는 전계 효과 트랜지스터 구현
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
-
10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석
한국정보통신학회논문지
2015 .01
-
비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석
한국정보통신학회논문지
2016 .05
-
비대칭 DGMOSFET에서 터널링 전류가 채널길이에 따른 문턱전압이동에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2016 .07
-
비대칭 DGMOSFET의 도핑분포함수에 따른 DIBL
한국정보통신학회논문지
2015 .11
-
Subthreshold Swing Including Tunneling of Sub-20 ㎚ Asymmetric Double Gate MOSFET
INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2016 .06
-
게이트에 과전압 스트레스가 인가된 탄화규소 MOSFET의 문턱아래 스윙
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
10 nm 이하 비대칭 DGMOSFET의 채널도핑농도에 따른 터널링 전류
한국정보통신학회논문지
2015 .07
-
비대칭 이중게이트 MOSFET에서 산화막 두께와 DIBL의 관계
한국정보통신학회논문지
2016 .04
-
접합 및 무접합 이중게이트 MOSFET에 대한 문턱전압 이동 및 드레인 유도 장벽 감소 분석
전기전자재료학회논문지
2019 .01
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2016-559-001128568