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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 156 - 162 (7page)
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본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 산화막두께, 채널도핑농도 그리고 상하단 게이트 전압 등과 같은 소자 파라미터에 따른 전도중심 및 전자농도가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 대칭구조와 비교하면 상하단 게이트 산화막의 두께 및 게이트 전압을 각각 달리 설정할 수 있으므로 단채널효과를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점을 가지고 있다. 그러므로 상하단 산화막두께 및 게이트 전압에 따른 전도중심 및 전자분포의 변화를 분석하여 심각한 단채널효과인 문턱전압이하 스윙 값의 저하 현상을 감소시킬 수 있는 최적의 조건을 구하고자 한다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 전위분포의 해석학적 모델을 구하였다. 결과적으로 소자 파라미터에 따라 전도중심 및 전자농도가 크게 변화하였으며 문턱전압이하 스윙은 상하단 전도중심 및 전자농도에 의하여 큰 영향을 받는 것을 알 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포 및 문턱전압이하 스윙 모델
Ⅲ. 소자 파라미터에 따른 문턱전압이하 스윙 결과 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (7)
참고문헌 신청
D. Sima / 2012 / Principles of Semiconductor Devices / Oxford University Press
K. K. Nagarajan / 2014 / Investigation of tunable chracteristics of independently driven double gate finfets in analog/RF domain using TCAD simulations / J. of Compitational and Theoretical Nanosciences 11(2):821~826
J. P. Duarte / 2012 / A nonpiecewise model for long-channel junctionless cylindrical nanowire FETs / IEEE Electron Device Letters 33(2):155~157
J. B. Roldan / 2013 / In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs / Solidstate electronics 79(1):179~184
R. Vaddi / 2011 / Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied independent gate and symmetric asymmetric options / Microelectronics J 42(5):798~807
K. K. Nagarajan / 2014 / Investigation of tunable chracteristics of independently driven double gate finfets in analog/RF domain using TCAD simulations / J. of Compitational and Theoretical Nanosciences 11(2):821~826
J. P. Duarte / 2012 / A nonpiecewise model for long-channel junctionless cylindrical nanowire FETs / IEEE Electron Device Letters 33(2):155~157
J. B. Roldan / 2013 / In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs / Solidstate electronics 79(1):179~184
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