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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Hakkee Jung (Kunsan National University)
저널정보
한국정보통신학회 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING Vo.9 No.1
발행연도
2017.6
수록면
322 - 325 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (6)

2017

Analysis of on-off state for work function and bottom gate voltage of Sub-10 nm Double Gate MOSFET
Hakkee Jung INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2017.06 학술대회자료

2016

Subthreshold Swing Including Tunneling of Sub-20 ㎚ Asymmetric Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Sima Dimit ,  ijev INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2016.06 학술대회자료

2015

Analysis of Tunneling Current for Gate Oxide Thickness of Sub-10 nm Asymmetric Double Gate MOSFET
Hakkee Jung INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2015.06 학술대회자료

2014

Conduction Path Dependent Subthreshold Swing of Asymmetric Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Jongin Lee ,  Dongsoo Jeong INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2014.06 학술대회자료

2012

Analysis of Subthreshold Swings Based on Scaling Theory for Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Jongin Lee ,  Dongsoo Cheong INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2012.06 학술대회자료

2007

Tunneling-Dependent Short Channel Effects for Nano Scale Double Gate MOSFET
Hakkee Jung ,  Jaehyeong Lee ,  Dongsoo Jeong 외 3명 INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING 2007.07 학술대회자료

초록· 키워드

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We investigate the change of the subthreshold swing with respect to the work function of the gate metal and the bottom gate voltage in a double gate (DG) MOSFET with a channel length of 10 nm or less in this paper. A subthreshold swing in general subthreshold characteristics can be defined when the logarithmic value of the drain current is linear with respect to the gate voltage. However, since the tunneling current cannot be ignored below the threshold voltage of the DGMOSFET of 10-nm or less, the drain current-gate voltage becomes nonlinear. The drain current of 10<SUP>-7</SUP>A is defined as the on-current, and the drain current of 10<SUP>-12</SUP>A is defined as the off current and the deviation of the corresponding gate voltages, ΔV <SUB>on-off</SUB>, is investigated. In the case of the asymmetric DGMOSFET, ΔV <SUB>on-off</SUB> decreases with decreasing the work function and the bottom gate voltage under a constant threshold voltage. In particular, ΔV <SUB>on-off</SUB> was significantly decreased with decreasing oxide film thickness and channel length.
#asymmetric DGMOSFET #bottom gate voltage #work function #on-off current #ΔV < #SUB> #on-off< #/SUB>

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. Current Model for asymmetric DGMOSFET
III. RESULTS
Ⅳ. DISCUSSION AND CONCLUSIONS
REFERENCES

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