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Solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon is usually conducted at around 600°C since it is used In the application of flat panel display using thermally susceptible glass substrate. In this study we conducted SPC experiments at temperatures higher than ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - M. Wu / 1999 / / Appl. Phys. Lett 75 : 2244 ~
2. [학술지(정기간행물)] - R. S. Howell / 2000 / / IEEE Electron Device Lett 21 : 70 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M. Wu / 2002 / / IEEE Trans. Electron Devices 49 (11) : 1993 ~
4. [학술지(정기간행물)] - L. Haji / 1994 / / J. Appl. Phys 75 (8) : 3944 ~
5. [학술지(정기간행물)] - A. Nakamura / 1989 / / J. Appl. Phys 66 (9) : 4248 ~
2. [학술지(정기간행물)] - R. S. Howell / 2000 / / IEEE Electron Device Lett 21 : 70 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M. Wu / 2002 / / IEEE Trans. Electron Devices 49 (11) : 1993 ~
4. [학술지(정기간행물)] - L. Haji / 1994 / / J. Appl. Phys 75 (8) : 3944 ~
5. [학술지(정기간행물)] - A. Nakamura / 1989 / / J. Appl. Phys 66 (9) : 4248 ~
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