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Polycrystalline silicon thin films were deposited by inductively coupled plasma (ICP) assisted magnetron sputtering using a gas mixture of Ar and H₂ on a glass substrate at 250℃. At constant Ar mass now rate of 10 sccm, the working pressure was changed between 10 mTorr and 70 mTorr with changing H₂ flow rate. The effects of RF power applied to ICP coil and Ar/H₂ gas mixing ratio on the properties of the deposited Si films were investigated. The crystallinity was evaluated by both X-ray diffraction and Raman spectroscopy. From the results of Raman spectroscopy, the crystallinity was improved as hydrogen mixing ratio was increased up to Ar/H₂＝10/16 seem; the maximum crystalline fraction was 74% at this condition. When RF power applied to ICP coil was increased, the crystallinity was also increased around 78%. In order to investigate the surface roughness of the deposited films, Atomic Force Microscopy was used.
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (9)
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[학술지(정기간행물)] - Jang, J / 2001 / Thin Solid Films / Thin Solid Films 383 : 34 ~ 38
[학술지(정기간행물)] - Voutsas, A. T / 2003 / Applied Surface Science / Applied Surface Science 208 : 250 ~ 262
[학술지(정기간행물)] - Matsuda, A / 1983 / Solids / Solids 59 : 767 ~
[학술지(정기간행물)] - Conde, J. P / 1997 / Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 / Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36
[학술지(정기간행물)] - Feng, Y / 2001 / Thin Solid Films / Thin Solid Films 595 : 213 ~ 216
[학술지(정기간행물)] - Voutsas, A. T / 2003 / Applied Surface Science / Applied Surface Science 208 : 250 ~ 262
[학술지(정기간행물)] - Matsuda, A / 1983 / Solids / Solids 59 : 767 ~
[학술지(정기간행물)] - Conde, J. P / 1997 / Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 / Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36
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