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저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.3
발행연도
2008.9
수록면
264 - 275 (12page)

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Electron mobility has been investigated theoretically in undoped double-gate (DG) MOSFETs of different channel architectures: a relaxed-Si DG SOI, a strained-Si (sSi) DG SSOI (strained-Si-oninsulator, containing no SiGe layer), and a strained-Si DG SGOI (strained-Si-on-SiGe-on-insulator, containing a SiGe layer) at 300K. Electron mobility in the DG SSOI device exhibits high enhancement relative to the DG SOI. In the DG SGOI devices the mobility is strongly suppressed by the confinement of electrons in much narrower strained-Si layers, as well as by the alloy scattering within the SiGe layer. As a consequence, in the DG SGOI devices with thinnest strained-Si layers the electron mobility may drop below the level of the relaxed DG SOI and the mobility enhancement expected from the strained-Si devices may be lost.
#Electron mobility modeling #double-gate SOI #strained silicon on insulator #strained silicon on silicon-germanium-on-insulator

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SIMULATED STRUCTURES AND MOBILITY MODEL
Ⅲ. RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (60)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - H. S. P. Wong / 2002 / Beyond the conventional transistor / IBM J. Res. & Dev 46 (2-3) : 133 ~ 167 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - D.A.Buchanan / 2004 / Beyond microelectronics: materials and technology for nano-scale CMOS devices / phys. stat. sol. (c) 1 (S2) : S155 ~ S162 google schola 3. [기타자료] - / 0000 / International Technology Roadmap in Semiconductors (ITRS) google schola 4. [학술지(정기간행물)] - F. Balestra / 1987 / Double-gate silicon-on-insulator transistor with volume inversion: A new device with greatly enhanced performance / IEEE Electron Device Lett ED-8 : 410 ~ 412 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - J. P. Colinge / 1990 / Silicon-on-insulator gateall- around device / IEDM Tech. Dig : 595 ~ 598 google schola

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