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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 399 - 402 (4page)
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The effects of heat treatment on the electrical properties of strained-Si/SiGe-on-insulator (SGOI) devices were examined. We proposed the optimized heat treatment processes for improving the back interfacial electrical properties in SGOI-MOSFET. By applying the additional pre-RTA (rapid thermal annealing) before gate oxidation step and the post-RTA after source/drain dopant activation step, the electrical properties of strained-Si channel on Si1-xGex layer were greatly improved, which resulting the improvement of the driving current, transconductance, and leakage current of SGOI-MOSFET.
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G. G. Shahidi / 1994 / A room temperature 0.1 μm CMOS on SOI / IEEE Trans. Electron Dev. 41 (12) : 2405 ~
J. G. Park / 2003 / Effect of nano-scale strained Si grown on SiGe-on-insulator on electron mobility / IEEE Int. SOI Conference Proc. : 61 ~
J. Welser / 1994 / Electron mobility enhancement in strained- Si n-type metal-oxide-semiconductor field- effect transistors / IEEE Electron Dev. Lett. 15 (3) : 100 ~
S. Takagi / 1997 / Subband structure engineering for performance enhancement of Si MOSFETs / Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. : 219 ~
S. Takagi / 2002 / Device structure and electrical characteristics of strained-Si- on-insulator (strained-SOI) MOSFETs / Mat. Sci. Eng., B 89 : 426 ~
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