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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第20卷 第1號
발행연도
2009.1
수록면
29 - 36 (8page)

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본 논문에서는 60 ㎓ 대역에서 동작하는 WPAN용 수신기에 필요한 저잡음 증폭기와 하향 주파수 혼합기를 90 ㎚ CMOS 공정을 이용하여 설계하고 제작한 결과를 보인다. 우선 각 소자에 사용될 트랜지스터의 특성을 추출하기 위해 원하는 바이어스 조건에서 cascode 구조의 S-parameter를 측정했으며, 이 때 사용된 RF 패드를 따로 측정하여 그 영향을 제거함으로써 트랜지스터만의 특성을 찾아내었다. 저잡음 증폭기는 3단의 cascode 구조를 사용했으며, 측정 결과 25 ㏈ 이득과 7 ㏈ 이하의 잡음지수 결과를 얻었다. 그리고 하향 주파수 혼합기는 LO의 입력에 balun을 사용한 balanced 구조로 측정 결과 IF 주파수(8.5～11.5 ㎓) 범위내에서 12.5 ㏈의 변환손실과 ?7 ㏈m의 입력 P1㏈을 나타내었다. 제작된 저잡음 증폭기 및 하향 주파수 혼합기의 크기와 소모 전력은 각각 0.8×0.6 ㎟에 43 ㎽와 0.85×0.85 ㎟에 1.2 ㎽이다.
#60 ㎓ #WPAN #CMOS #LNA #Mixer

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 90 ㎚ CMOS를 이용한 60 ㎓ 저잡음 증폭기 및 하향 주파수 혼합기 설계
Ⅲ. 90 ㎚ CMOS를 이용한 저잡음 증폭기 및 하향 주파수 혼합기 제작 및 측정
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (7)

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C. Doan / 2005 / Millimeter-wave CMOS design / IEEE Journal of SSC 40:144~155 google schola H.Shigematsu / 2005 / Millimeter-wave CMOS circuit design / IEEE Trans. on MTT 53(3):475~477 google schola Stephane Pinel / 2008 / A 90 nm CMOS 60 GHz Radio / ISSCC 2008 :130~131 google schola T.Yao / 2006 / 60-GHz PA and LNA in 90-nm RF-CMOS / 2006 IEEE RFIC Symposium google schola Bahar Motlagh / 2006 / Fully integrated 60-GHz single-ended resistive mixer in 90-nm CMOS tech-nology / IEEE Microwave and Wireless Components Letters 16(1):25~27 google schola

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