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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2008년도 생산 및 설계공학부문 춘계학술대회 논문집
발행연도
2008.6
수록면
9 - 10 (2page)

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This study focused on investigation into the effect of the slurry of CMP on both material removal rate and subsurface damage removal by mixing the nano-sized diamond abrasives and oxidizer into the conventional colloidal silica slurry. 2inch 6H-SiC (0001) wafers were sliced from the ingot grown by a conventional physical vapor transport (PVT) method using an abrasive multi-wire saw. The sliced SiC wafers lapped by a slurry with 1 ~ 9 ㎛ diamond particles. Waf ... 전체 초록 보기
#SiC(탄화규소) #CMP(화학적 기계적 연마) #Sub-surface damage(표면 결함) #Material removal rate(재료 연마율) #Surface roughness(표면 거칠기)

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