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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제2호
발행연도
2004.1
수록면
138 - 143 (6page)

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CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology for global planarization of multilevel interconnection structure has been widely studied for the next generation devices. Among the consumables for CMP process, especially, slurry and their chemical compositions play a very important role in the removal rates and within-wafer non-uniformity (WIWNU) for global planarization ability of CMP process. However, CMP slurries contain abrasive particles exceeding 1 ㎛ size, which can cause micro-scratch on the wafer surface after CMP process. Such a large size particle in these slurries may be caused by particle agglomeration in slurry supply-line. In this work, to investigate the effects of agglomeration on the performance of oxide CMP slurry, we have studied an aging effect of silica slurry as a function of particle size distribution and aging time during one month. We prepared and compared the self-developed silica slurry by adding of alumina powders. Also, we have investigated the oxide CMP characteristics. As an experimental result, we could be obtained the relatively stable slurry characteristics comparable to aging effect of original silica slurry. Consequently, we can expect the saving of high-cost slurry.
#Chemical mechanical polishing #CMP) #Slurry #Removal rate #Non-uniformity

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참고문헌 (9)

참고문헌 신청
/ 1992. / Planarizing Interlevel Dielectric by Chemical Mechanical Polishing : 87 ~ google schola / 1999. / Improved STI CMP Technology for micro-scratch issue : 322 ~ google schola / 2000. / 슬러 리와 패드변화에 따른 텅스텐 플러그 CMP 공 정의 최적화 13 : 7 ~ 568 google schola / 2000. / 실리콘 웨이퍼위에 증착된 실리케이트 산화막의 CMP 슬러리의 오염 특성 13 (2) : 131 ~ google schola / 2001 / Sluury induced metallic contaminations on different silicate oxides by as-deposited and post-CMP cleaning : 287 ~ google schola

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