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Abstract
1. 서론
2. 칩 바리스터 모델링
3. 시뮬레이션 및 결과
4. 결론
참고문헌
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[학술지(정기간행물)] - J. E. Vinson / Dec.2000. / Electrostatic Discharge in Semiconductor Devices 88 (12) : 1878 ~ 1900
[학술지(정기간행물)] - J. E. Vinson / feb.1998. / Electrostatic Discharge in Semiconductor Devices 86 (2) : 399 ~ 418
[학술지(정기간행물)] - Se-Won Han / 2003. / The Effect of Microstructure Nonuniformity on the electrical Characteristics of ZnO Varistors with Al2O3 doping 3-c (4) : 140 ~ 145
[학술지(정기간행물)] - 이영종 / 1999년2월. / ZnO 바리스터의 펑처 현상에 관한 보로노이 시뮬레이션 48c (2) : 109 ~ 116
[학술지(정기간행물)] - 류정선 / 2000년. / Y2O3 첨가에 따른 Pr6O11계 ZnO 바리스터의 전기적 특성 : 1676 ~ 1678
[학술지(정기간행물)] - J. E. Vinson / feb.1998. / Electrostatic Discharge in Semiconductor Devices 86 (2) : 399 ~ 418
[학술지(정기간행물)] - Se-Won Han / 2003. / The Effect of Microstructure Nonuniformity on the electrical Characteristics of ZnO Varistors with Al2O3 doping 3-c (4) : 140 ~ 145
[학술지(정기간행물)] - 이영종 / 1999년2월. / ZnO 바리스터의 펑처 현상에 관한 보로노이 시뮬레이션 48c (2) : 109 ~ 116
[학술지(정기간행물)] - 류정선 / 2000년. / Y2O3 첨가에 따른 Pr6O11계 ZnO 바리스터의 전기적 특성 : 1676 ~ 1678
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