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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 265 - 270 (6page)
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본 논문에서는 높은 홀딩 전압을 갖는 SCR(silicon-controlled rectifier)기반 양 방향성 ESD 보호회로를 제안하였다. 일반적인 ESD 보호회로와 달리 양방향의 ESD Stress mode의 방전경로를 제공하며 높은 홀딩전압으로 latch-up면역 특성을 갖어 효과적인 ESD보호를 제공한다. 또한, 높은 홀딩전압을 위한 설계변수인 Gate Length와 N+bridge Length의 길이 변화에 따른 시뮬레이션을 Synopsys사의 TCAD 시뮬레이터를 사용하여 확인 하였다. 시뮬레이션 결과 2.1V에서 6.5V까지 홀딩 전압의 증가로 latch-up 면역 특성을 개선 하였으며, 기존 SCR보다 6.5V의 낮은 트리거 전압특성을 갖고 있어 제안된 ESD 보호 회로는 5V 이상의 공급전압을 갖는 application에 적용 가능하다.
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참고문헌 (6)
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[학술대회논문] - R. G Wagner / 1993 / Extend and Cost of EOS/ESD Damage in an IC Manufacturing Process / Porc. of the 15t EOS/ESD Symp. : 49 ~ 55
[학술대회논문] - Huang / 2001 / ESD protection design for advanced CMOS / Proc.SPIE, 4600 : 123 ~ 131
[학술대회논문] - C. Russ / 1998 / Non-uniform triggering of gg-nMOSs investigated by combined emission microcopy and transmission line pulsing / Proc. EOS/ESD Symp. : 177 ~ 186
[기타자료] - Russ C / 2001 / GGNMOS Triggered Silicon Controlled Rectifier for ESD protection in deep submicron CMOS process / ESD
[단행본] - Amerasekera A. / 2002 / ESD in Silicon Integrated Circuits / John Wiley and Sons
[학술대회논문] - Huang / 2001 / ESD protection design for advanced CMOS / Proc.SPIE, 4600 : 123 ~ 131
[학술대회논문] - C. Russ / 1998 / Non-uniform triggering of gg-nMOSs investigated by combined emission microcopy and transmission line pulsing / Proc. EOS/ESD Symp. : 177 ~ 186
[기타자료] - Russ C / 2001 / GGNMOS Triggered Silicon Controlled Rectifier for ESD protection in deep submicron CMOS process / ESD
[단행본] - Amerasekera A. / 2002 / ESD in Silicon Integrated Circuits / John Wiley and Sons
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