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정승구 (단국대학교) 권상욱 (단국대학교) 이정민 (단국대학교) 백승환 (단국대학교) 구용서 (단국대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제60권 제4호(통권 제545호)
발행연도
2023.4
수록면
3 - 7 (5page)
DOI
10.5573/ieie.2023.60.4.3

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본 논문에서는 높은 홀딩 전압과 양방향 특성을 갖는 Stack 기술을 적용한 정전기 방전 (ESD) 보호회로가 제안된다. 제안된 ESD 보호회로는 기존의 LTDDSCR 구조에서 N-웰 상에 N+ 영역 및 게이트를 추가하여 높은 홀딩 전압을 가진다. 또한 Stack 기술을 적용하여 높은 홀딩 전압 특성으로 인해 고전압 어플리케이션에 적합하고 양방향 특성으로 인해 우수한 면적 효율을 제공 할 수 있을 것으로 예상된다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (6)

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