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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정준모 (Seokyeong University) 이주영 (Seokyeong University)
저널정보
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제28권 제4호
발행연도
2024.12
수록면
657 - 661 (5page)

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본 논문은 기존 저전압 ESD 보호소자와 비교하여 더 나은 홀딩 전압을 가지고 전류구동 능력을 향상시킨 ESD 보호소자를 제안한다. 제안하는 구조는 SCR 기반의 보호소자이며 P-웰 영역과 N+, P+ 플로팅 영역을 추가하였다. 그 결과 제안된 ESD 보호소자는 내부 기생 BJT의 전류 이득을 변화시켜 기존의 ESD 보호소자와 비교하여 높은 홀딩 전압을 갖는 것을 검증하였다. 따라서 본 소자는 3.3V 어플리케이션에 충분한 래치업 면역 특성을 보유할 것으로 기대된다.
#ESD #SCR #Holding Voltage #Avalanche breakdown #Latch-up

목차

Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
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