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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第46卷 第10號
발행연도
2009.10
수록면
9 - 15 (7page)

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본 논문에서는 고속 ATC(Automatic Threshold Control) 회로 구조를 고안하고 이를 이용하여 고속 ATC 기능을 갖는 버스트 모드 제한증폭기를 설계하였고, 0.8㎛ SiGe BiCMOS 상용 파운드리 기술을 이용하여 제작하였다.
제작된 버스트 모드 제한증폭기는 PRBS=2?-1에서 무에러(error free)의 아이를 보였고, 160㎰이내의 지터 특성과 95㎰이내의 상승/하강시간을 보였다.
ATC특성 측정결과 버스트 데이터의 신호의 초기부터 안정되게 파형을 잘 잡아낼 정도로 빠른 ATC동작이 이루어지고 있어 고안한 ATC회로의 고속특성을 확인할 수 있었다. 그러나 버스트 초기에서 듀티사이클 왜곡이 발생했고, 입력 신호의 크기가 커짐에 따라 듀티사이클이 59%까지 증가하는 특성을 보였다. 그러나 10 사이클이 지난 후에는 모든 입력 신호의 크기에 대해 듀티사이클이 52% 이내로 안정화되고 있음을 확인하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 버스트-모드 제한 증폭기
Ⅲ. 버스트-모드 제한 증폭기의 측정
Ⅳ. 결론
참고문헌
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