3-Dimensional Numerical Analysis of Deep Depletion Buried Channel MOSFETs and CCDs

Man-Ho Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Man-Ho Kim

저널정보: 대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.1 No.3

발행연도: 2006.9

수록면: 396 - 405 (10page)

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The visual analysis of buried channel (BC) devices such as buried channel MOSFETs and CCDs (Charge Coupled Devices) is investigated to give better understanding and insight for their electrical behaviours using a 3-dimensional (3-D) numerical simulation. This paper clearly demonstrates the capability of the numerical simulation of "EVEREST" for characterising the analysis of a depletion mode MOSFET and BC CCD, which is a simulation software package of the semiconductor device. The inverse threshold and punch-through voltages obtained from the simulations showed an excellent agreement with those from the measurement involving errors of within approximately 1.8% and 6%, respectively, leading to the channel implanted doping profile of only approximately 4-5% error. For simulation of a buried channel CCD an advanced adaptive discretising technique was used to provide more accurate analysis for the potential barrier height between two channels and depletion depth of a deep depletion CCD, thereby reducing the CPU running time and computer storage requirements. The simulated result for the depletion depth also showed good agreement with the measurement. Thus, the results obtained from this simulation can be employed as the input data of a circuit simulator.

#Buried channel MOSFET #Charge coupled device #Semiconductor numerical simulation #Flat band voltage #Inversion threshold voltage #Deep depletion CCD #Depletion depth #potential maximum

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[학술지(정기간행물)] - / oct.1978. / An E/D MOSFET circuit for improved performance sc-13 : 542 ~ 548

[학술지(정기간행물)] - / 1993. / Open electrode CCD UV/XUV sensitive detectors for astronomy University of Leicester

[학술지(정기간행물)] - / pp.199-208 / A device model for buried - channel CCD's and MOSFET's for Gaussian impurity profiles ed-27

[학술지(정기간행물)] - / specialissueonsostechnologyandnonvolatiememorytechnology / vol. ED-25 no. 8 : 1978 ~

[학술지(정기간행물)] - / 1985 / The correct equivalent box representation for the buried layer of the BC MOSFETs in terms of the implantation parameters : 457 ~ 459

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