The Characterizing Analysis of a Buried-Channel MOSFET based on the 3-D Numerical Simulation

Man-Ho Kim; Jongsoo Kim

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자료유형: 학술저널

저자정보: Man-Ho Kim (University of Ulsan) Jongsoo Kim (University of Ulsan)

저널정보: 대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.2 No.2

발행연도: 2007.6

수록면: 267 - 273 (7page)

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A depletion-mode MOSFET has been analyzed to evaluate its electrical behavior using a novel 3-D numerical simulation package. The characterizing analysis of the BC MOSFET was performed through short-channel narrow-channel and small-geometry effects that are investigated, in detail, in terms of the threshold voltage. The DIBL effect becomes significant for a short-channel device with a channel length of ＜ 3(㎛). For narrow-channel devices the variation of the threshold voltage was sharp for ＜ 4(㎛) due to the strong narrow-channel effect. In the case of small-geometry devices, the shift of the threshold voltage was less sensitive due to the combination of the DIBL and substrate bias effects, as compared with that observed from the short-channel and narrow-channel devices. The characterizing analysis of the narrow-channel and small-geometry devices, especially with channel width of ＜ 4(㎛) and channel area of ＜ 4×4(㎛²) respectively, can be accurately performed only from a 3-D numerical simulation due to their sharp variations in threshold voltages.

#Buried-channel MOSFET #Deep Depletion MOSFET #Narrow Channel Effect #Short Channel Effect #Small-Geometry Effect

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1. [학술지(정기간행물)] - / 1979 / VLSI limitations from drain-induced barrier lowering d-26 : 461 ~

2. [학술지(정기간행물)] - / 1986 / Drain-induced barrier-lowering analysis in VLSI MOSFET devices using two-dimensional numerical simulations ieee trans. elec. device. v.ed-33 (1745)

3. [학술지(정기간행물)] - / 1989 / Anormalous punchthrough in ULSI buried-channel MOSFET's ieee trans. elec. device. v.ed-36 (2548)

4. [학술지(정기간행물)] - / 1993 / Drain-induced barrier lowering in buried-channel MOSFET's ieee trans. electron devicees v.ed-40 (741)

5. [학술지(정기간행물)] - / 1981 / Analytical modeling of depletion-mode MOSFET with short- and narrow-channel effects 128 : 225 ~

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