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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
근거리 무선통신용 RF LDMOS 소자의 전기전 특성
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
온도변화에 따른 LDMOS의 전류변동 억제에 관한 연구
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)
2006 .11
융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
전기학회논문지
1998 .08
1800 MHz 대역 50 W 급 LDMOS 고효율 전류모드 D 급 전력 증폭기의 설계
한국통신학회 학술대회논문집
2004 .07
경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
N 버퍼층을 갖는 수퍼접합 LDMOS
전기학회논문지 C
2006 .02
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
Trench Gate 구조를 이용한 LDMOS의 항복전압 개선
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
Vertical Double-Diffused MOSFET의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics or Vertical Double-Diffused MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
트렌치 드레인과 경사진 게이트를 갖는 SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
표준 CMOS 공정에서의 LDMOS를 이용한 고속 레벨시프터 설계
대한전자공학회 학술대회
2007 .11
전산모사 시뮬레이션을 이용한 Laterally Diffused MOS(LDMOS)에서의 Displacement Defect의 영향
전기학회논문지
2020 .10
An Improvement on P-Channel Sol Ldmos Transistor with Tapered Field Oxides
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
경사진 게이트를 갖는 Recessed Source SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides
[ETRI] ETRI Journal
1999 .06
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
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