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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 시뮬레이션
Ⅲ. 결론
감사의 글
참고문헌
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Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides
[ETRI] ETRI Journal
1999 .06
융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
전기학회논문지
1998 .08
트렌치 드레인과 경사진 게이트를 갖는 SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
경사진 게이트를 갖는 Recessed Source SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
ON 저항이 작은 Recessed Source 구조 SOI LDMOS의 수치해석
전기학회논문지 C
1999 .09
SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현
전기학회논문지
1996 .12
경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
SOI-LDMOS의 드리프트 길이 변화에 따른 전기적 특성의 고온영역 신뢰성 분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
An Improvement on P-Channel Sol Ldmos Transistor with Tapered Field Oxides
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
근거리 무선통신용 RF LDMOS 소자의 전기전 특성
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
SOI 기술의 연구동향
전자공학회지
1987 .08
1800 MHz 대역 50 W 급 LDMOS 고효율 전류모드 D 급 전력 증폭기의 설계
한국통신학회 학술대회논문집
2004 .07
수소 플라즈마를 이용한 SOI 기판 제작 및 SOI 전력용 반도체 소자 제작에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .11
N 버퍼층을 갖는 수퍼접합 LDMOS
전기학회논문지 C
2006 .02
APPLICATIONS OF SOI DEVICE TECHNOLOGY
한국표면공학회지
1996 .10
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2009 .01
Trench Gate 구조를 이용한 LDMOS의 항복전압 개선
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
박막 SOI의 결정질 및 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
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