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이용수
ABSTRACT
1. 서론
2. 시뮬레이션 결과 및 고찰
3. 결론
참고문헌
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SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현
전기학회논문지
1996 .12
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
트렌치 드레인과 경사진 게이트를 갖는 SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
85V RESURF LDMOS with High Energy Implanted Drift Region
대한전자공학회 ISOCC
2007 .10
고내압 SOI RESURF 다이오드의 최적 설계에 관한 연구 ( A Study on The Optimal Design of High Voltage SOI RESURF Diode )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
융기된 내부링을 갖는 새로운 SOI LDMOS
전기학회논문지
1998 .08
경사진 Field Plate을 갖는 SOI LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
RESURF LDMOS와 VDMOS의 ON 저항 비교연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
SOI RESURF 다이오드의 항복전압 ( Avalanche Breakdown Voltage of the SOI RESURF Diodes )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
경사진 게이트를 갖는 Recessed Source SOI LDMOS
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
ON 저항이 작은 Recessed Source 구조 SOI LDMOS의 수치해석
전기학회논문지 C
1999 .09
RESURF type의 SOI n-LDMOSFET 소자 설계 및 제작
대한전자공학회 학술대회
2004 .06
Characteristics of p-channel SOI LDMOS Transistor with Tapered Field Oxides
[ETRI] ETRI Journal
1999 .06
0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
표면 도핑 두께에 따른 SOI RESURF LDMOSFET의 전기적 특성분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .07
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
Epi층의 농도 및 두께 변화에 따른 Multi-RESURF SOI LDMOSFET의 특성분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .07
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