지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1996.7
- 수록면
- 1,609 - 1,611 (3page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
등록된 정보가 없습니다.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. ON저항 비교
3. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
RESURF LDMOS의 항복전압에 관한 이론적인 고찰 ( A Theoretical Study on the Breakdown Voltage of the RESURF LDMOS )
전자공학회논문지-D
1998 .08
-
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
대한전기학회 학술대회 논문집
2002 .11
-
RESURF형 SOI LDMOS의 해석적인 모형 ( An Analytical Model for the RESURF-Type SoI LDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1996 .07
-
SOI RESURF LDMOS의 표면전계에 대한 해석적 표현
전기학회논문지
1996 .12
-
85V RESURF LDMOS with High Energy Implanted Drift Region
대한전자공학회 ISOCC
2007 .10
-
경사진 드레인 산화막을 갖는 SOI RESURF LDMOS에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1996 .07
-
저전압 VDMOS의 ON-저항 모델링
대한전기학회 학술대회 논문집
1991 .07
-
컴퓨터를 이용한 전력 VDMOS의 설계 ( Computer-Aided Design of the Power VDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
-
An Advanced Model of on-Resistance for Low Voltage VDMOS Devices
전기학회논문지
1992 .03
-
0.35㎛ BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
-
A Channel Resistance Modeling in the Low Voltage VDMOS
JOURNAL OF KIEE
1990 .03
-
0.35um BCD 공정을 이용한 700V Double Resurf LDMOS Transistor 구현
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
-
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
-
Good Die 수를 극대화 하기위한 전력 VDMOS의 설계 방법 ( A Power VDMOS Design Methodology for the Maximum Number of Good Dice per Wafer )
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
-
AN ACCURATE MODELING OF CHANEL RESISTANCE IN VDMOS
ICPE(ISPE)논문집
1989 .05
-
전력 VDMOS에서 항복전압을 개선시키기 위한 Field Limiting Ring의 구조 ( Geometry of Field Limiting Ring to Improve the Breakdown Voltage in Power VDMOS )
대한전자공학회 학술대회
1987 .05
-
π MOS : 전력용 VDMOS 최적화를 위한 프로그램 ( π MOS : A Program for power VDMOS Optimization )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
-
Low side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS와 nch-JFET 소자 개발
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
-
Nonlinear Analysis for LDMOS Using Level 3 Extraction Method
한국통신학회 학술대회논문집
2001 .07
-
RESURF 수평형 IGBT의 항복전압
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
수직 이중 확산형 MOSFET ( A Vertical Double-Diffused MOSFET )
김종오
,
최연익
,
손호태
외 1명
전자공학회논문지
1986
.11
Multi RESURF구조를 갖는 LDMOS의 on 저항과 항복전압
최이권
,
최연익
,
정상구
대한전기학회 학술대회 논문집
2002
.11
High side application을 위한 700V double-RESURF nch-LDMOS 소자 개발
문남칠
,
전본근
,
권경욱
외 6명
대한전자공학회 학술대회
2012
.06
RESURF type의 SOI n-LDMOSFET 소자 설계 및 제작
김재석
,
김범주
,
구진근
외 2명
대한전자공학회 학술대회
2004
.06
A novel multi-level program method for 4-bit per cell operation in SONOS memory
Ho-Myoung An
,
Hee-Dong Kim
,
Yu Jeong Seo
외 2명
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2010
.06
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-560-001871781