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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 580 - 581 (2page)
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We have designed and fabricated the active pixel sensor (APS) using an optimized n-well/gate-tied p-channel metal oxide semiconductor field effect transistor (PMOSFET)-type photodetector with a built-in transfer gate. The APS was fabricated using a 0.35 μm standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. The photodetecto ... 전체 초록 보기
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