지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
초록· 키워드
오류제보하기
고감도 능동픽셀센서(active pixel sensor, APS)를 위한 PMOSFET 광검출기를 설계 및 제작하였다. 이 센서는 5V의 전원 전압을 사용하며, 1-poly 2-metal 1.5㎛ CMOS공정으로 제작하였다. 사용된 광검출기는 빛에 대한 감도를 높이기 위해서 n-well과 게이트를 연결한 PMOSFET을 사용하였다. 제작된 광검출기는 일반 MOSFET의 IDS-VDS 곡선과 유사한 특성을 가진다. PMOSFET 광검출기를 기본으로 하여 설계된 1차원 이미지 센서는 16개의 픽셀로 구성되어 있으며, 단위 픽셀은 하나의 PMOSFET 광검출기와 4개의 NMOSFET으로 구성되어있다. 단위 픽셀의 크기는 86㎛×90.5㎛이며, 개구율은 약 12%이다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
내장된 전송 게이트를 가지는 PMOSFET형 광검출기를 사용한 픽셀의 동작 범위 향상
대한전자공학회 학술대회
2009 .07
-
δ 도핑된 Si0.8Ge0.2 0.13㎛ pMOSFET 소자 특성 조사
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
A 640×480 CMOS Active Pixel Sensor using a PMOSFET Photodetector Operative at a Very Low Illumination Level
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2005 .07
-
Dynamic Range Extension of a CMOS Active Pixel Sensor with a Gate/Body-Tied PMOSFET-Type Photodetector
대한전자공학회 ISOCC
2012 .11
-
Dynamic Range Improvement of the Active Pixel Sensor Using an N-Well/Gate-Tied PMOSFET-Type Photodetector with a Built-in Transfer Gate
대한전자공학회 학술대회
2009 .07
-
내장된 전송 게이트를 가지는 n-well/gate가 연결된 구조의 PMOSFET형 광검출기의 동작 범위 확장
센서학회지
2010 .01
-
0.1㎛ 레벨 PMOSFET의 소자 열화에 관한 연구 ( A Study on the Device Degradation with 0.1㎛ level PMOSFET )
한국통신학회논문지
1998 .11
-
게이트 전류를 이용한 SC-PMOSFET의 수명 시간 모델링 ( A Lifetime Modeling Using Gate Current for Surface-Channel PMOSFET`S )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
-
High Speed CMOS Binary Image Sensor with Gate/Body-Tied PMOSFET-Type Photodetector Using Double-Tail Comparator
대한전자공학회 학술대회
2019 .11
-
Gate/Body-Tied PMOSFET-type Photodetector with Correlated Double Sampling Circuit for Noise Reduction
대한전자공학회 ISOCC
2012 .11
-
High-Speed CMOS Binary Image Sensor with Gate/Body-Tied PMOSFET-Type Photodetector
센서학회지
2014 .01
-
MOS 구조시뮬레이션과 공정시험을 통한 pMOSFET 이온화 방사선 측정용 센서의 감도개선 연구
제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집
2007 .12
-
Fabrication of 0.1mm Surface Channel pMOSFET
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Hot-Carrier로 인한 PMOSFET의 소자 수명시간 예측 모델링 ( II ) ( A Lifetime Prediction Modeling for PMOSFET degraded by Hot-Carrier ( II ) ) ( A Lifetime Prediction Modeling Using Gate Current for PMOSFET )
전자공학회논문지-A
1993 .09
-
Gd-pMOSFET 열중성자 측정기 구현 및 감도개선
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .10
-
DC and RF Characteristics of Si0.8Ge0.2 pMOSFETs: Enhanced Operation Speed and Low 1/f Noise
[ETRI] ETRI Journal
2003 .06
-
0.1 μm 표면 채널 GR - Pmosfet 의 스케일링에 관한 연구 ( A Study on the Scale - Down of 0.1μm Surface - Channel GR - Pmosfet )
전자공학회논문지-A
1994 .11
-
P+ 다결정 실리콘을 사용한 SC-PMOSFET의 특성 ( The Characterization of SC-PMOSFET with P+ Polysilicon Gates )
전자공학회논문지
1990 .02
-
δ 도핑된 Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFET 소자 특성 조사 ( Characterization of δ- Doped Si0.8.Ge0.2 0.13μm PMOSFETs )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
유효채널 길이가 0.3㎛인 P+Poly Si Gate PMOSFET의 전기적 특성 ( A Study on Deep Submicron P+Poly Si Gate PMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0