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저자정보
김성훈 (동의대학교) 김도형 (동의대학교) 윤한기 (동의대학교) Ri-ichi Murakami (토구시마대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2006년도 제1차 재료 및 파괴부문 학술대회 논문집
발행연도
2006.3
수록면
88 - 92 (5page)

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The thin films of SiO and SiON were deposited individually by the inclination opposite target type DC magnetron sputtering equipment onto the glass substrate and it was deposited IZO(In₂O₃(90wt.%) + ZnO(10wt.%)) on those films. The effets of SiO and SiON were investigated on properties of IZO/Glass thin films. AFM images of IZO thin film included SiON film were shown smoother surfaces than that included SiO film. Resistivity is in inverse proportion to Mobility. If it deposited SiO and SiON generate layer of change between two layer(SiO, SiON and Glass). Layer of change influenced resistance because of Oxygen content was more than single layer of IZO.
#IZO/Glass Thin Film(IZO/Glass 박막) #Hall Effect(홀효과) #Scanning Probe Microscope(미세표면관측) #Resistivity(저항률) #Indium Zinc Oxide(인듐 아연 산화물)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
후기
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