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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.2
- 발행연도
- 2010.6
- 수록면
- 79 - 99 (21page)
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Pulsed current-voltage (I-V) methods are introduced to evaluate the impact of fast transient charge trapping on the performance of high-κ dielectric transistors. Several pulsed I-V measurement configurations and measurement requirements are critically reviewed. Properly configured pulsed I-V measurements are shown to be capable of extracting such device characteristics as trap-free mobility, trapinduced threshold voltage shift (△V<SUB>t</SUB>), as well as effective fast transient trap density. The results demonstrate that the pulsed I-V measurements are an essential technique for evaluating high-κ gate dielectric devices.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. FAST TRANSIENT CHARGE TRAPPING
Ⅲ. MEASUREMENT TECHNIQUE AND INSTRUMENTATION CONFIGURATIONS
Ⅳ. MEASUREMENT REQUIREMENTS
Ⅴ. APPLICATIONS
Ⅵ.CONCLUSIONS
REFERENCES
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